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SQJ844EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
2.0
I D = 14 A
100
1.7
1.4
1.1
0.8
0.5
V GS = 10 V
10
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = 25 °C
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.15
0.12
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.6
0.3
V SD - Source-to-Drain V oltage ( V )
Source Drain Diode Forward Voltage
0.0
0.09
- 0.3
I D = 5 mA
0.06
T J = 150 °C
- 0.6
0.03
0.00
T J = 25 °C
- 0.9
- 1.2
I D = 250 μA
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
I D = 1 mA
38
36
34
32
30
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
S11-2288-Rev. C, 28-Nov-11
4
Document Number: 65530
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